各科室、各位專家：

　　為深入實施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，加快建設(shè)具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心，根據(jù)《上海市建設(shè)具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心“十四五”規(guī)劃》，上海市科學技術(shù)委員會特發(fā)布2022年度“探索者計劃”項目申報指南。

 

　　一、征集范圍

　?。ㄒ唬└叨酸t(yī)療裝備領(lǐng)域

　　專題一、醫(yī)學影像裝備基礎(chǔ)材料

　　方向1、能譜分辨探測器用銫鉛溴單晶的新型鈣鈦礦材料

　　研究目標：明確大尺寸銫鉛溴單晶生長動力學過程與缺陷調(diào)控機理，揭示器件載流子傳輸規(guī)律及其離子遷移機理，實現(xiàn)醫(yī)學X射線或伽馬射線的高靈敏度、低探測極限、高能譜分辨探測。

　　研究內(nèi)容：開展大尺寸銫鉛溴單晶生長與性能調(diào)控研究，解析單晶缺陷的類型、分布規(guī)律及其形成機理。開展載流子輸運與界面物理研究，探索銫鉛溴單晶暗電流抑制方案及離子遷移機理，構(gòu)建高偏壓離子移動背景下的載流子“漂移—擴散”模型，明確單晶缺陷、界面復合與離子移動極化對載流子輸運性能的影響規(guī)律。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元。

 

　　專題二、醫(yī)學影像前沿成像技術(shù)

　　方向1、新型心臟PET/MR采集與重建算法模型

　　研究目標：建立自由呼吸下的三維心臟PET/MR聯(lián)合重建方法，實現(xiàn)快速、運動魯棒、精準的心臟PET/MR成像。

　　研究內(nèi)容：研究自由呼吸下的三維快速心臟MR成像技術(shù)，開發(fā)三維心臟PET/MR聯(lián)合重建算法、運動補償下的心臟PET衰減校正及PET與MR圖像匹配等技術(shù)。系統(tǒng)評估同步PET/MR成像在心力衰竭等復雜心臟疾病鑒別診斷、治療決策及預后價值。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元。

 

　　方向2、磁共振4D肺成像技術(shù)

　　研究目標：建立自由呼吸下磁共振4D肺成像技術(shù)，實現(xiàn)高空間分辨率（不低于1.0mm各向同性）、高時間分辨率（不少于20個呼吸相）的全肺結(jié)構(gòu)成像和通氣量功能成像。

　　研究內(nèi)容：圍繞肺結(jié)節(jié)、肺炎等重大疾病的早期檢測需求，研究基于超短回波成像序列和4D圖像重建算法，獲得在自由呼吸下高清晰度的肺部結(jié)構(gòu)圖像和通氣量功能圖像，開展功能圖像的自動分析。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元。

 

　　方向3、高通量X射線下半導體探測器中電荷輸運機制及影響

　　研究目標：闡明不同物理要素對電荷輸運及探測器計數(shù)穩(wěn)定的影響機制，揭示其對CT圖像質(zhì)量的影響。

　　研究內(nèi)容：構(gòu)建高通量X射線下三維電荷輸運定量模型，并對模型的有效性、準確性進行實驗驗證。研究半導體能帶結(jié)構(gòu)、缺陷構(gòu)成等物理要素對探測器計數(shù)穩(wěn)定性和光子計數(shù)CT成像質(zhì)量的影響。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元。

 

　　專題三、醫(yī)學影像應用基礎(chǔ)研究

　　方向1、基于核素心肌灌注顯像的非阻塞性冠脈疾病分子影像學預后監(jiān)測模型

　　研究目標：建立非阻塞性冠脈疾病的核素分子影像學預后監(jiān)測模型，精準疾病風險分層。

　　研究內(nèi)容：研究非阻塞性冠脈疾病MPI圖像分割、識別及特征提取中的新算法，聯(lián)合相位分析技術(shù)自動獲取相位帶寬、相位標準差及相位熵，篩選核醫(yī)學影像預后標志物，實現(xiàn)心肌血流量及冠脈血流儲備指導下的非阻塞性冠脈疾病的核輔助精準預測及臨床應用驗證。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元。

 

　　方向2、狹窄、閉塞性心腦血管疾病新型影像學標志物研究

　　研究目標：獲得心腦血管狹窄與閉塞性病變的新型影像標志物，提升心腦血管疾病的精準診療。

　　研究內(nèi)容：探究磁共振及CT等的心腦血管狹窄、閉塞性的影像學特征變化規(guī)律及機制，研究篩選可用于指導臨床的新型影像學標志物，解析狹窄、閉塞性心腦血管疾病的病程與分期，實現(xiàn)冠脈及腦血管的精確成像。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元。

 

　　方向3、腫瘤微環(huán)境的動態(tài)可視化研究及其在腫瘤免疫治療中的應用

　　研究目標：建立可用于乳腺癌免疫治療監(jiān)測、評估的微環(huán)境動態(tài)可視化方法，提高乳腺癌免疫治療效果。

　　研究內(nèi)容：融合腫瘤靶向分子、熒光蛋白等，構(gòu)建可用于磁共振等的多模態(tài)成像分子探針，在亞細胞、細胞和組織等水平，研究建立乳腺癌微環(huán)境的動態(tài)可視化新技術(shù)與新方法（空間分辨率優(yōu)于500μm），實現(xiàn)與免疫治療相關(guān)微環(huán)境（≥2種標志物或參數(shù)）的動態(tài)可視化監(jiān)測、評估。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元。

 

　　方向4、基于磁共振技術(shù)的復雜先心病形態(tài)學及血液動力學研究

　　研究目標：建立復雜先心病的形態(tài)學及血液動力學評估手段及模型，揭示其與心臟功能變化間的關(guān)聯(lián)機制。

　　研究內(nèi)容：研究復雜先心病的三維動態(tài)磁共振成像新算法，獲得心臟結(jié)構(gòu)影像及血流速度、流量率等血液動力學參數(shù)（成像序列1.2mm分辨率，視野范圍350mm，掃描時間8-10分鐘），實現(xiàn)自由呼吸狀態(tài)下形成圖像。構(gòu)建多種復雜先心病的疾病譜綜合模型，篩選相關(guān)的影像學生物標記，并開展與心臟功能變化相關(guān)的機制研究。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元。

 

　　方向5、腦膠質(zhì)腫瘤患者腦功能重塑預測及驗證

　　研究目標：揭示腦腫瘤患者行為與功能變化的大腦重塑的影像學關(guān)聯(lián)，建立術(shù)前術(shù)后患者腦功能改變的預測模型，為腦膠質(zhì)瘤患者治療后康復及綜合治療提供依據(jù)。

　　研究內(nèi)容：基于多模態(tài)功能磁共振成像、神經(jīng)導航、個體化腦功能區(qū)識別等技術(shù)，實現(xiàn)圖像融合三維可視化，確立腦膠質(zhì)瘤患者基于種子點的功能連接，闡明腦腫瘤患者行為與功能變化的大腦重塑的影像學關(guān)聯(lián)，建立治療前后腦功能改變的預測模型，并進行數(shù)據(jù)集驗證。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元。

 

　?。ǘ┘呻娐奉I(lǐng)域

　　專題四、集成電路前瞻性研究

　　方向1、超導約瑟夫森結(jié)TCAD仿真工具研究

　　研究目標：建立超導約瑟夫森結(jié)可視化交互TCAD仿真軟件平臺，支持超導集成電路約瑟夫森結(jié)性能的仿真分析，仿真的約瑟夫森結(jié)臨界電流密度跟實測相比誤差在10%以內(nèi)，為解決量子退火芯片中量子比特設(shè)計和工藝協(xié)同優(yōu)化問題奠定關(guān)鍵基礎(chǔ)。

　　研究內(nèi)容：全面分析量子退火芯片核心器件——Nb基約瑟夫森結(jié)的物理機制，開發(fā)基于NEGF的量子輸運方法TCAD仿真軟件，支持按工藝、材料需求進行三維器件結(jié)構(gòu)建模，包含約瑟夫森結(jié)界面工藝到器件結(jié)構(gòu)以及電學性能的分析仿真。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

　　方向2、GAA-FET器件DTCO仿真分析關(guān)鍵技術(shù)研究

　　研究目標：配合產(chǎn)業(yè)界基于較成熟的先進技術(shù)節(jié)點，提出環(huán)柵場效應管（GAA-FET）器件的工藝流程方案并通過設(shè)計工藝協(xié)同優(yōu)化（DTCO），建立合理的設(shè)計規(guī)則，實現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化和單元電路性能提升。

　　研究內(nèi)容：基于先進工藝建立GAA-FET DTCO的PPA分析等全流程仿真分析方法，優(yōu)化設(shè)計規(guī)則和器件結(jié)構(gòu)，構(gòu)建GAA-FET器件緊湊物理模型，開展典型單元電路的仿真分析，評估整體技術(shù)方案的可行性。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

　　方向3、應用于先進CMOS外延工藝的RHEED定量表征方法研究及軟/硬件系統(tǒng)實現(xiàn)

　　研究目標：針對未來先進工藝中在線實時監(jiān)測半導體外延薄膜的需要，進一步發(fā)展反射式高能電子衍射（RHEED）技術(shù)，實現(xiàn)全晶圓粗糙度、晶格常數(shù)、缺陷等參數(shù)的數(shù)據(jù)收集，表面粗糙度量測精度≤0.02nm，并完成對比測試和工藝驗證及評估。

　　研究內(nèi)容：基于RHEED技術(shù)開發(fā)高質(zhì)量半導體外延薄膜量測系統(tǒng)，構(gòu)建基于RHEED技術(shù)定量表征半導體薄膜粗糙度的模型，發(fā)展半導體薄膜粗糙度定量表征方法，拓展RHEED定位表征薄膜缺陷的方法，并應用于FinFET/GAA-FET器件核心外延工藝薄膜的表面粗糙度量測技術(shù)并實現(xiàn)相關(guān)量測應用。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

　　方向4、14nm FinFET及以下節(jié)點工藝Litho、SiGe等核心工藝監(jiān)測的研究

　　研究目標：創(chuàng)新14nm FinFET及以下工藝節(jié)點光刻（Litho）、鍺硅外延（SiGe）核心工藝監(jiān)測的新方法，開發(fā)設(shè)計標準單元庫對14nm及以下工藝節(jié)點的Litho、SiGe進行有效監(jiān)測，助力縮短研發(fā)周期。

　　研究內(nèi)容：研究14nm FinFET及以下工藝節(jié)點的Litho、SiGe等關(guān)鍵工藝對產(chǎn)品設(shè)計及其布圖（Layout）產(chǎn)生關(guān)鍵影響的機理及特性。整合Layout設(shè)計與工藝，構(gòu)建14nm及以下工藝節(jié)點的標準單元庫和核心工藝監(jiān)測評估方法，改善優(yōu)化Litho、SiGe等在研發(fā)上量階段的工藝。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

　　方向5、FinFET工藝寄生效應的精準表征、建模及測試版圖自動生成工具研究開發(fā)

　　研究目標：揭示FinFET器件本征及中后段工藝寄生特性引入機制，實現(xiàn)精準的寄生效應在片測試技術(shù)并應用于RC精準建模，開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的相關(guān)版圖自動生成工具。

　　研究內(nèi)容：研究FinFET器件三維結(jié)構(gòu)特有的本征及中后段工藝寄生引入機制、獨有結(jié)構(gòu)寄生電容的精準拆分、計算及電磁仿真擬合，探索極微小電容的可集成在片測試電路并應用于FinFET先進工藝建模。研發(fā)適用于該工藝的RC測試結(jié)構(gòu)版圖自動生成工具，生成一套適用于中后道RC參數(shù)提取的測試結(jié)構(gòu)版圖，進行流片驗證、測試、參數(shù)提取，并建立RC參數(shù)模型。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

　　專題五、毫米波和太赫茲技術(shù)

　　方向1、適用于相干太赫茲通信的全模擬硅基集成接收機的研究

　　研究目標：研究相干太赫茲通信全模擬硅基集成接收機，在載波頻率300GHz實現(xiàn)單通道面積≤1mm2、功耗150mW、帶寬≥3GHz的支持QAM正交調(diào)制的相控接收機設(shè)計。

　　研究內(nèi)容：基于克拉莫-克若尼關(guān)系的太赫茲接收機，研究簡潔高效的集成全模擬太赫茲接收機電路設(shè)計，優(yōu)化相干接收機整體的功耗與電路復雜度，替代傳統(tǒng)通信正交解調(diào)手段實現(xiàn)相位及振幅信息的解析。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

　　方向2、基于傳輸線理論的片上集成互連結(jié)構(gòu)與元件模型和建模方法

　　研究目標：革新射頻芯片（RFIC）原理圖和版圖設(shè)計流程，實現(xiàn)基于硅基片上傳輸線解析建模的RFIC設(shè)計，可兼容國產(chǎn)射頻集成電路仿真器以及PDK環(huán)境應用，為基于國產(chǎn)化EDA工具平臺發(fā)展高效率RFIC設(shè)計建立基礎(chǔ)。

　　研究內(nèi)容：研究基于傳輸線理論的片上集成微帶線、傳輸線等互連結(jié)構(gòu)、元件模型和建模方法，優(yōu)化RFIC原理圖和版圖設(shè)計流程，完善無源互連結(jié)構(gòu)從器件設(shè)計到測量及模型庫開發(fā)流程，完成基于Si基片上傳輸線解析建模的RFIC設(shè)計。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

　　專題六、功率器件研究

　　方向1、基于DTCO技術(shù)的車規(guī)級智能功率MOSFET全集成研究

　　研究目標：采用設(shè)計工藝協(xié)同優(yōu)化（DTCO）技術(shù)實現(xiàn)功率MOSFET與控制電路的單芯片全集成及協(xié)同設(shè)計。建立控制邏輯器件、功率MOSFET模型及PDK（誤差10%以內(nèi)），并實現(xiàn)集成控制邏輯電路的功率MOSFET設(shè)計及性能驗證，探索解決低開關(guān)速率下由于安全工作區(qū)SOA超界而損壞功率MOSFET問題。

　　研究內(nèi)容：研究并改進功率MOSFET工藝技術(shù)，提出兼容功率MOSFET及控制電路的工藝制備技術(shù)路線，滿足功率MOSFET和控制電路單芯片全集成。研究并提出面向功率MOSFET的DTCO設(shè)計方法，實現(xiàn)工藝、器件、電路及功率MOSFET協(xié)同優(yōu)化設(shè)計。

　　執(zhí)行期限：2022年10月1日至2025年9月30日。

　　經(jīng)費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

 

　　二、申報要求

　　除滿足前述相應條件外，還須遵循以下要求：

　　1.項目申報單位應當是注冊在本市的法人或非法人組織，具有組織項目實施的相應能力。

　　2.研究內(nèi)容已經(jīng)獲得財政資金支持的，不得重復申報。

　　3.所有申報單位和項目參與人應遵守科研倫理準則，遵守人類遺傳資源管理相關(guān)法規(guī)和病原微生物實驗室生物安全管理相關(guān)規(guī)定，符合科研誠信管理要求。項目負責人應承諾所提交材料真實性，申報單位應當對申請人的申請資格負責，并對申請材料的真實性和完整性進行審核，不得提交有涉密內(nèi)容的項目申請。

　　4.申報項目若提出回避專家申請的，須在提交項目可行性方案的同時，上傳由申報單位出具公函提出回避專家名單與理由。

　　5.已作為項目負責人承擔市科委科技計劃在研項目2項及以上者，不得作為項目負責人申報。

　　6.項目經(jīng)費預算編制應當真實、合理，符合市科委科技計劃項目經(jīng)費管理的有關(guān)要求。

　　7.各研究方向同一單位限報1項。

　　8.申請人在申請前應向聯(lián)合資助方了解相關(guān)項目的需求背景和要求。高端醫(yī)療裝備領(lǐng)域（專題1-專題3），請聯(lián)系康女士，聯(lián)系電話15000500752；集成電路領(lǐng)域（專題4-專題6），請聯(lián)系任先生，聯(lián)系電話13817606447。

　　9.申請項目評審通過后，申請人及所在單位將收到簽訂“探索者計劃資助項目協(xié)議書”的通知。申請人接到通知后，應當及時與聯(lián)合資助方聯(lián)系，在通知規(guī)定的時間內(nèi)完成協(xié)議書簽訂工作。

 

三、申報方式

　　（一）院內(nèi)申報　　　　1.我院擬申報者請于8月17日前將申報信息（見附件）發(fā)送科研處郵箱[email protected]。

2、如某方向申報超過限項，另行通知于8月24日前提交可行性方案，進行院內(nèi)評審。

3、通過院內(nèi)評審者或申報方向未超過限項者，另行通知按以下方式正式申報。

（二）正式申報

　　1.項目申報采用網(wǎng)上申報方式，無需送交紙質(zhì)材料。申請人通過“中國上海”門戶網(wǎng)站（http://www.sh.gov.cn）--政務服務--點擊“上海市財政科技投入信息管理平臺”進入申報頁面，或者直接通過域名http://czkj.sheic.org.cn/進入申報頁面：

　　【初次填寫】使用“一網(wǎng)通辦”登錄（如尚未注冊賬號，請先轉(zhuǎn)入“一網(wǎng)通辦”注冊賬號頁面完成注冊），進入申報指南頁面，點擊相應的指南專題，進行項目申報；

　　【繼續(xù)填寫】使用“一網(wǎng)通辦”登錄后，繼續(xù)該項目的填報。

　　有關(guān)操作可參閱在線幫助。

　　2.項目網(wǎng)上填報截止時間為2022年9月4日。

 

　　四、評審方式

　　采用第一輪通訊評審、第二輪見面會評審方式。

　　五、立項公示

　　上海市科委將向社會公示擬立項項目清單，接受公眾異議。

　　六、咨詢電話

　　服務熱線：021-12345、8008205114（座機）、4008205114（手機）

 

 

復旦大學附屬中山醫(yī)院 科研處

王翔宇697552  612167

　　2022年8月11日

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